Revision history for BeTransistoren
No Differences
Deletions:
No Differences
Additions:
- **A** = Halbleitermaterial *Germanium*
- **B** = Halbleitermaterial *Silicium*
- **C** (z. B. BC158, BC238, BC328, BC548): Transistoren für den **NF-Bereich** (Niederfrequenz), z. B. beim Bau von Verstärkern
- **F** (z. B. BF194): **HF-Transistoren** (Hochfrequenz), z. B. für Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
- **D** (z. B. AD161): **Leistungstransistoren** für Anwendungen mit großer Ausgangsleistung (10 Watt oder mehr)
-
Ohne Rückkopplung ist der Stromverstärkungsfaktor recht unkontrollierbar und unterliegt auch einer Streuung in der Herstellung. Man kann hier nur grob Klassen angeben: A, B oder C. Der Buchstabe am Ende ist ein Hinweis auf den Stromverstärkungsfaktor.
- **A** steht für den kleinsten Verstärkungsfaktor
- **B** steht für einen mittleren Verstärkungsfaktor
- **C** steht für den größten Verstärkungsfaktor
- **B** = Halbleitermaterial *Silicium*
- **C** (z. B. BC158, BC238, BC328, BC548): Transistoren für den **NF-Bereich** (Niederfrequenz), z. B. beim Bau von Verstärkern
- **F** (z. B. BF194): **HF-Transistoren** (Hochfrequenz), z. B. für Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
- **D** (z. B. AD161): **Leistungstransistoren** für Anwendungen mit großer Ausgangsleistung (10 Watt oder mehr)
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Ohne Rückkopplung ist der Stromverstärkungsfaktor recht unkontrollierbar und unterliegt auch einer Streuung in der Herstellung. Man kann hier nur grob Klassen angeben: A, B oder C. Der Buchstabe am Ende ist ein Hinweis auf den Stromverstärkungsfaktor.
- **A** steht für den kleinsten Verstärkungsfaktor
- **B** steht für einen mittleren Verstärkungsfaktor
- **C** steht für den größten Verstärkungsfaktor
Deletions:
- **B** = Halbleitermaterial *Silicium*
- **C** (z. B. BC158, BC238, BC328, BC548): Transistoren für den **NF-Bereich** (Niederfrequenz), z. B. beim Bau von Verstärkern
- **F** (z. B. BF194): **HF-Transistoren** (Hochfrequenz), z. B. für Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
- **D** (z. B. AD161): **Leistungstransistoren** für Anwendungen mit großer Ausgangsleistung (10 Watt oder mehr)
Der Buchstabe am Ende ist ein Hinweis auf den Stromverstärkungsfaktor.
A, B oder C, wobei A für der geringste Verstärkungsfaktor und C der höchste ist.
No Differences
Additions:
~~-[[JFET|Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET)]]
~~-[[MOSFET|Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET)]]
==a== Transistor-Typenbezeichnungen verstehen==a==
Aus den Typenbezeichnungen lassen sich die folgenden Informationen lesen.
=== Erstes Zeichen: Halbleitermaterial ===
Der erste Buchstabe lässt erkennen, aus welchem Halbleitermaterial die Transistoren hergestellt wurden:
- **A** = Halbleitermaterial *Germanium*
- **B** = Halbleitermaterial *Silicium*
=== Zweiter Buchstabe: Verwendungszweck ===
Aus dem zweiten Buchstaben lässt sich die Verwendung ersehen:
- **C** (z. B. BC158, BC238, BC328, BC548): Transistoren für den **NF-Bereich** (Niederfrequenz), z. B. beim Bau von Verstärkern
- **F** (z. B. BF194): **HF-Transistoren** (Hochfrequenz), z. B. für Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
- **D** (z. B. AD161): **Leistungstransistoren** für Anwendungen mit großer Ausgangsleistung (10 Watt oder mehr)
=== Die Zahlen ===
Die Ziffern, die den beiden Buchstaben nachstehen (wie 158, 238 usw.), dienen nur der Unterscheidung der einzelnen Transistoren des gleichen Typs.
=== Der Buchstabe am Ende ===
Der Buchstabe am Ende ist ein Hinweis auf den Stromverstärkungsfaktor.
A, B oder C, wobei A für der geringste Verstärkungsfaktor und C der höchste ist.
~~-[[MOSFET|Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET)]]
==a== Transistor-Typenbezeichnungen verstehen==a==
Aus den Typenbezeichnungen lassen sich die folgenden Informationen lesen.
=== Erstes Zeichen: Halbleitermaterial ===
Der erste Buchstabe lässt erkennen, aus welchem Halbleitermaterial die Transistoren hergestellt wurden:
- **A** = Halbleitermaterial *Germanium*
- **B** = Halbleitermaterial *Silicium*
=== Zweiter Buchstabe: Verwendungszweck ===
Aus dem zweiten Buchstaben lässt sich die Verwendung ersehen:
- **C** (z. B. BC158, BC238, BC328, BC548): Transistoren für den **NF-Bereich** (Niederfrequenz), z. B. beim Bau von Verstärkern
- **F** (z. B. BF194): **HF-Transistoren** (Hochfrequenz), z. B. für Eingangsstufen von Rundfunkempfängern
- **D** (z. B. AD161): **Leistungstransistoren** für Anwendungen mit großer Ausgangsleistung (10 Watt oder mehr)
=== Die Zahlen ===
Die Ziffern, die den beiden Buchstaben nachstehen (wie 158, 238 usw.), dienen nur der Unterscheidung der einzelnen Transistoren des gleichen Typs.
=== Der Buchstabe am Ende ===
Der Buchstabe am Ende ist ein Hinweis auf den Stromverstärkungsfaktor.
A, B oder C, wobei A für der geringste Verstärkungsfaktor und C der höchste ist.
Deletions:
~~-[[MOSFET Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET)]]
Additions:
==a==Typen==a==
==a==Bücher==a==
==a==Weiterführend==a==
[[Transistorschaltungen]]
==a==Bücher==a==
==a==Weiterführend==a==
[[Transistorschaltungen]]
Additions:
~~-[[MOSFET Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET)]]
Deletions:
~~~-Enhancement Type
~~~-Dipletion Type (selbstleitend)
No Differences
Additions:
~-[[Bipolartransistor]]
~-Feldeffekttransitoren
~~-[[JFET Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET)]]
~-Feldeffekttransitoren
~~-[[JFET Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET)]]
Deletions:
~~-Kleinsignal
~~-Leistungstransistor
~-Feldeffekttransitoren (jeweils n-Kanal und p-Kanal, bis auf Ausnahmen - **überprüfen**)
~~-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET)
Additions:
Feldeffekttransistoren (TietzeSchenk2002, S. 173)
Bipolartransistoren (TietzeSchenk2002, S. 37)
Bipolartransistoren (TietzeSchenk2002, S. 37)
Additions:
Transistoren allgemein (Nuehrmann1998, Band 2, S. 1602)
BC548 (Nuehrmann1998, Band 2, S. 1644 - 1651)
BC548 (Nuehrmann1998, Band 2, S. 1644 - 1651)
Deletions:
Additions:
~-Feldeffekttransitoren (jeweils n-Kanal und p-Kanal, bis auf Ausnahmen - **überprüfen**)
